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LED外延片及質量辨別方法

日期:2021-10-19 16:15
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摘要:
LED外延片及質量辨別方法
     外延片的生產制作過程非常復雜,其檢測過程也比較復雜,基本的方法是每張外延片隨意抽取九點做測試,符合要求的就是良品,其它為不佳品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激光切割外延片,然后***分撿,根據不同的電壓,波長,亮度進行全自動化分檢,也就是形成led晶片(方片)。然后還要進行目測,把有一點缺陷或者電極有磨損的,分撿出來,這些就是后面的散晶。此時在藍膜上有不符合正常出貨要求的晶片,也就自然成了邊片或**等。不佳品的外延片(主要是有一些參數不符合要求),就不用來做方片,就直接做電極(P極,N極),也不做分檢了,也就是目前市場上的LED大圓片(這里面也有好東西,如方片等)。
  半導體制造商主要用拋光Si片(PW)和外延Si片作為IC的原材料。20世紀80年代早期開始使用外延片,它具有標準PW所不具有的某些電學特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
  歷史上,外延片是由Si片制造商生產并自用,在IC中用量不大,它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2~20μm,而襯底Si厚度為610μm(150mm直徑片和725μm(200mm片)。
  外延沉積既可(同時)一次加工多片,也可加工單片。單片反應器可生產出質量*好的外延層(厚度、電阻率均勻性好、缺陷少);這種外延片用于150mm“前沿”產品和所有重要200mm產品的生產。
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